自今年年初开始，无论是闪存还是内存价格都有了大幅度的回落，从之前的“高不可攀”大幅度嘉佳，如今我们作为普通消费者终于有了一些选择的余地。
据Chosun Ilbo报道，韩国产业链的消息人士透露，三星今年投资在NAND Flash闪存上的资本支出预计是64亿美元，2019年更是会提高到90亿美元。而这些投入首先是将用于提高3D闪存的产能，包括位于平泽市和中国西安市的工厂，其次是先进技术放面的投资。
而就在最近，三星宣布量产第五代3D V-NAND闪存，采用96层堆叠、单Die 32GB容量，领先竞争对手两年的时间。
有分析指出：三星释放信号仅是个开端，未来几年，SK海力士、美光、Intel、东芝、西数/闪迪、长江存储/武汉新芯等都表态在未来扩充闪存产能，由此可能会出现供应量超过需求量风险。
