写入速度比U盘快万倍新存储技术诞生
复旦大学微电子学院张卫、周鹏教授团队研发出具有颠覆性的二维半导体准非易失性存储原型器件，开创了第三类存储技术。
此次研发的第三代电荷存储技术，写入速度比目前U盘快1万倍，数据刷新时间是内存技术的156倍，并且拥有卓越的调控性，可以实现按需“裁剪”数据10秒至10年的保存周期。这不仅可以极大降低高速内存的存储功耗，同时还可以实现数据有效期截止后自然消失，在特殊应用场景解决了保密性和传输之间存在的矛盾。
最重要的是，二維材料可以获得单层的具有完美界面特性的原子级别晶体，这对集成电路器件进一步微缩并提高集成度、稳定性以及开发新型存储器都有着巨大潜力，是降低存储器功耗和提高集成度的崭新途径。
