随着闪存市场价格逐渐稳定下来，人们的期待也开始从“不涨”慢慢往“降价”上转移；而想要价格降下来，那就一定要依靠技术和生产工艺的提升。三星日前已开始量产它们的第五代3D NAND闪存颗粒，层叠层数从64层加厚至96层，进一步提升存储密度的同时而不影响耐久和可靠性，更重要的是产能也能得到30%的提升。
三星的第五代V-NAND技术在性能方面其实也有不小的改进，它采用的Toggle DDR 4.0接口运行速率已经从上一代3D NAND的800Mbps提升到了1.4Gbps，同时工作电压也从1.8V降低至1.2V，可以抵消掉接口提速带来的能耗上升。此外读写延迟也有所下降，其读取延迟已压缩到50微秒，写入延迟降低30%达到500微秒。
关于这一代3D NAND的制程技术改进细节三星并没有透露多少，目前可知的是每个存储层的厚度已经削薄了20%，以及文首处提及的30%产能提升。三星首批第五代3D NAND颗粒为256Gb TLC，是消费市场和手机存储里常见的规格，对它来说优先考虑需求量大的市场是必然的选择，至于供应服务器和数据中心SSD的1Tb QLC NAND之后再说。
对我们这群普通消费者来讲，期待这批新颗粒应该就是三星下一代SSD产品的事情了。
