偏压

导带边缘的电势变化以及在GaAs/AlGaAsHEMT器件的栅极下前七个...任昱++聂钰节++唐在峰DOI：10.16661/j.cnki.1672-3791.2017.25..

...oneIII器件的工作频率王玺皓+王丽华摘要：采用基于密度泛函理论的非平衡格林函数方法，模拟了4-二硫代羧基-联苯-4'-硫醇基..

短波广播发射机研究报告20172022年短波广播发射机行业风险投资态...李长征摘要：SW-100F发射机是北京长峰广播通讯设备有限责任..